Samsung отгружает образцы 32GB NAND с 20нм проектными нормами
Все еще не могут прийти в себя от 32нм проектных норм (ну, не все. Некоторым это фиолетово, но они не в счет), а Samsung начал отгрузку образцов NAND для SD флешек на 20нм проектных нормах -- http://www.samsung.com/global/business/semiconductor/newsView.do?news_id=1145
Скорость чтения у 20нм SD-карточек 20Мb/sec, записи -- 10Mb/sec. Т.е. 1GB перекачивается на такую карточку за примерно сто секунд (и не нужно тут грузиться степенями двойки и выяснять разницу между гига и гиби). Это вполне обычные характеристики. Необычно -- 20нм, ибо эти характеристики при таких размерах обходятся дешевле, чем при нынешних 32нм. Ну, и энергопотребление при записи тоже меньше.
20нм -- это сегодняшние проектные нормы. Будущее опять/снова/в который раз уже здесь. Нужно это запомнить, хотя чует мое сердце, что запоминать придется ненадолго. Закон Мура продолжает действовать как самосбывающееся пророчество, и действует он отнюдь не только в фирме Intel.
Скорость чтения у 20нм SD-карточек 20Мb/sec, записи -- 10Mb/sec. Т.е. 1GB перекачивается на такую карточку за примерно сто секунд (и не нужно тут грузиться степенями двойки и выяснять разницу между гига и гиби). Это вполне обычные характеристики. Необычно -- 20нм, ибо эти характеристики при таких размерах обходятся дешевле, чем при нынешних 32нм. Ну, и энергопотребление при записи тоже меньше.
20нм -- это сегодняшние проектные нормы. Будущее опять/снова/в который раз уже здесь. Нужно это запомнить, хотя чует мое сердце, что запоминать придется ненадолго. Закон Мура продолжает действовать как самосбывающееся пророчество, и действует он отнюдь не только в фирме Intel.